IBM-მა და Samsung-მა ისეთი მიკროჩიპი შექმნეს, რომლის დახმარებით სმარტფონის ბატარეა, ერთი სრული დამუხტვით, ერთ კვირას გასტანს. მიკროჩიპის „ნოუ-ჰაუ“ იმაში მდგომარეობს, რომ მასში შემავალი ტრანზისტორები ერთმანეთს ვერტიკალურად უკავშირდება და არა ჰორიზონტალურად, როგორც ეს აქამდე ხდებოდა.
ახალი ტექნოლოგია, რომელსაც ვერტიკალურად ტრანსპორტირებადი უნიპოლარული ტრანზისტორი (VTFET) ეწოდება, ჩაანაცვლებს FinFET-ტექნოლოგიას, რომელსაც დღეს ყველაზე მძლავრ ჩიპებში იყენებენ – შედეგად კი უფრო მძლავრ მიკროჩიპებს მივიღებთ. ტრანზისტორების ამგვარი ხერხით დალაგება ლოგიკურიც არის, რადგან მეცნიერები უკვე დიდი ხანია, მიკროჩიპების სამგანზომილებიან განვითარებაზე ფიქრობენ – მათ სხვა გზა არც აქვთ, რადგან ორგანზომილებიან სიბრტყეზე ტრანზისტორები უბრალოდ აღარ ეტევა.
მიუხედავად იმისა, რომ ჯერჯერობით უცნობია, როდის გამოიყენებენ ტექნოლოგიური კომპანიები ახალ ტექნოლოგიას თავიანთ პროდუქტებში, IBM-ი და Samsung-ი თამამად აცხადებენ, რომ FinFET-თან შედარებით, ამ ტექნოლოგიას მიკროჩიპის წარმადობის გაორმაგება ან ელექტროენერგიის მოხმარების 85%-ით შემცირება შეუძლია. ამ შედეგების უკეთ საჩვენებლად, კომპანიების წარმომადგენლებს კონკრეტული მაგალითებიც მოჰყავთ: მათი თქმით, ახალ ტექნოლოგიაზე ბაზირებული უფრო მძლავრი მიკროჩიპები ისეთ სმარტფონებს დაუდებენ სათავეს, რომელთა დამუხტვა კვირაში ერთხელ იქნება შესაძლებელი. თუმცა, ეს ყველაფერი როდია: კრიპტოვალუტების მაინინგსა და მონაცემების დაშიფვრას VTFET-ტექნოლოგია გაცილებით უფრო ენერგოეფექტიანს გახდის.
